?

電泳晶閘管整流電源發(fā)展歷程：

• 自95年公司成立，便開始整流電源數(shù)字控制系統(tǒng)的開發(fā)。
• 96年的“集成化全數(shù)字控制系統(tǒng)”整流電源，采用INTEL公司51系列8位單片機(jī)作為核心器件，電路集成度高、線路簡(jiǎn)單，穩(wěn)壓精度從模擬控制系統(tǒng)的10%提高到5%，受到了電泳市場(chǎng)的青睞。
• 2002年的“數(shù)字化雙備用控制系統(tǒng)”整流電源，兩套控制板，一用一備，每套控制板都采用ATMEL公司的8位AT單片機(jī)芯片，將RAM存儲(chǔ)器提高到128bit,將ROM存儲(chǔ)器提高到4K，增強(qiáng)了其存儲(chǔ)能力和數(shù)據(jù)運(yùn)算能力，穩(wěn)壓精度提高到1%；具有良好的兼容性和快速替代性，運(yùn)行故障率降低50%。
• 2004年的“微機(jī)雙控?zé)醾溆每刂葡到y(tǒng)”整流電源：兩套冗余控制板，一用一備，可實(shí)現(xiàn)無擾動(dòng)切換（發(fā)明專利：ZL200410012122.9）；每塊控制板內(nèi)采用兩片8位STC單片機(jī)芯片，并將脈沖觸發(fā)部分由模擬電路升級(jí)為數(shù)字電路；增加了兩路RS485通訊通道，能夠與PLC等設(shè)備實(shí)現(xiàn)通訊，穩(wěn)壓、穩(wěn)流精度提高到了0.5%。
• 2009年的“ARM雙控?zé)醾溆每刂葡到y(tǒng)”整流電源，應(yīng)用了STM公司的16位ARM芯片，相對(duì)于8位單片機(jī)提高了運(yùn)算速度，穩(wěn)壓、穩(wěn)流精度提升到3%；12分頻脈沖集成到控制板內(nèi)，減少了連接接插件；保留兩路RS485通訊的基礎(chǔ)上增加了CAN通訊功能，加強(qiáng)了通訊能力。
• 2011年的“ARM微機(jī)雙控?zé)醾溆谩狈植际秸麟娫?，ARM芯片提升為32位，通過RS485和CAN兩種通訊方式組成環(huán)網(wǎng)，與PLC進(jìn)行通訊，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制；分布式電泳方式，比傳統(tǒng)電泳方式節(jié)約電能為1%，節(jié)省電泳漆2%，工件漆膜附著更加均勻。
• 2015年的“DSP控制系統(tǒng)”整流電源，應(yīng)用了TI公司的TMS系列芯片，對(duì)程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)采用了獨(dú)立空間，減少了處理器的訪問次數(shù)，提高信號(hào)處理速度達(dá)到25%，使其實(shí)現(xiàn)了更快、更穩(wěn)、更準(zhǔn)的自動(dòng)控制系統(tǒng)。
• 2019年的“DSP控制系統(tǒng)”在以往的RS485、CAN通訊基礎(chǔ)上增加了以太網(wǎng)通訊，實(shí)現(xiàn)多種通訊方式并存的環(huán)網(wǎng)結(jié)構(gòu)，解決了單一通訊方式中斷后影響生產(chǎn)的一大難題。進(jìn)一步增強(qiáng)了設(shè)備抗干擾能力，增強(qiáng)了設(shè)備穩(wěn)定性。

?電解晶閘管整流電源發(fā)展歷程：

• 1997年第一代數(shù)字控制三相橋式電解整流電源研發(fā)成功并應(yīng)用到食鹽電解行業(yè)，其線路簡(jiǎn)單、操作方便、運(yùn)行穩(wěn)定的特點(diǎn)，得到用戶的認(rèn)可。
• 1999年研發(fā)出適用于低電壓大電流場(chǎng)合的第二代數(shù)字控制六相雙反星電解整流電源。具有布局合理、調(diào)節(jié)方便、可靠運(yùn)行的特點(diǎn)。
• 2001年推出第三代數(shù)字控制三相橋同相逆并聯(lián)電解整流電源，很好的抵消了電路磁場(chǎng)，抑制了柜體產(chǎn)生的渦流，減小了柜體發(fā)熱情況。2003年推出第四代數(shù)字控制雙反星同相逆并聯(lián)電解整流電源，通過對(duì)直流輸出電流和交流輸入電流磁場(chǎng)抑制，增加了設(shè)備的抗干擾能力。
• 2004年“微機(jī)雙控?zé)醾溆谩笨刂葡到y(tǒng)應(yīng)用在電解整流電源設(shè)備中，完成了第三代、第四代電解直流電源的控制系統(tǒng)升級(jí)。該控制系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)，一用一備，當(dāng)運(yùn)行控制系統(tǒng)故障時(shí)，備用系統(tǒng)快速投入運(yùn)行，直流輸出無擾動(dòng)狀況，從而提高了運(yùn)行速度、增強(qiáng)了設(shè)備穩(wěn)定度。
• 2005年對(duì)所有電解整流電源增加了“溫度檢測(cè)系統(tǒng)”和“均流檢測(cè)系統(tǒng)”進(jìn)一步擴(kuò)大了設(shè)備運(yùn)行監(jiān)控面，助力了設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。
• 2006年公司研發(fā)了第五代一次調(diào)壓二次整流的整流電源系統(tǒng)，對(duì)于超低電壓的應(yīng)用得到了補(bǔ)充。
• 2008年推出以16位“ARM”控制系統(tǒng)的電解整流電源，其運(yùn)行速度快，穩(wěn)流精度高的特性，深受客戶青睞。
• 2011年將32位“ARM”芯片應(yīng)用到控制系統(tǒng)中，強(qiáng)大的數(shù)據(jù)運(yùn)算能力和多種通訊方式，進(jìn)一步提高了運(yùn)行速度，拓展了更多的實(shí)用功能。
• 2014年公司開發(fā)了第六代周期反向電解整流電源，以其正反向切換速度塊，人工干預(yù)少，運(yùn)行穩(wěn)定等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用到電解銅、電鍍等場(chǎng)合。
• 2016年“DSP數(shù)字控制系統(tǒng)”電解整流電源研發(fā)成功，強(qiáng)大的數(shù)字信號(hào)處理能力，使其實(shí)現(xiàn)了更快、更穩(wěn)、更準(zhǔn)的自動(dòng)控制系統(tǒng)。
• 2019年，DSP數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)進(jìn)一步升級(jí)，增加了通訊方式，擴(kuò)展了信號(hào)處理能力，使其更加智能化、人性化，作為第八代整流電源更能適應(yīng)當(dāng)前的科技發(fā)展。

?電泳IGBT整流電源發(fā)展歷程：

• 2011年公司在IGBT電泳整流電源的基礎(chǔ)上進(jìn)行IGBT電解整流電源的研發(fā)。
• 2012年公司推出第一代500A/500V大功率IGBT風(fēng)冷實(shí)驗(yàn)室電解設(shè)備，作為第一代IGBT直流電源，具有柜體體積小、脈波頻率高等突出特點(diǎn)。
• 2014年第二代40KW大電流低電壓IGBT電解整流電源研發(fā)成功，直流輸出頻率達(dá)到20KHZ，水冷冷卻方式很好的控制了電子器件的溫升，增強(qiáng)了設(shè)備運(yùn)行可靠性。
• 2015出品第三代模塊化高頻電解整流電源，通過多路模塊并聯(lián)使其總輸出功率達(dá)到200KW，大大拓寬了應(yīng)用場(chǎng)合，而且單模塊的故障對(duì)整個(gè)電源系統(tǒng)影響較小，能夠快速更換，提升了生產(chǎn)效率。
• 2017年公司進(jìn)一步將大功率IGBT電解整流電源,的電流提升到10KA，輸出總功率達(dá)到300KW，從而誕生了第四代IGBT電解整流電源，進(jìn)一步擴(kuò)大了適用范圍。
• 2019年，公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)將輸出功率提升到了1000KW,并對(duì)控制系統(tǒng)進(jìn)行了智能升級(jí)，通過對(duì)控制系統(tǒng)的升級(jí)，適用于更多的生產(chǎn)工藝場(chǎng)合，具有功率單元自動(dòng)分配、總功率恒定、高效穩(wěn)定運(yùn)行的特點(diǎn)。

??MOSFET高頻整流電源發(fā)展歷程：

• 為了使高頻整流電源體積更小、重量更輕、效率更高，15年公司開始對(duì)小型化高頻整流電源進(jìn)行研發(fā)。
• 2016年的“50A/500V”小模塊高頻整流電源，通過選用不同封裝方式的高頻電力電子器件，使其開關(guān)頻率上升到50KHZ，最大功率為20KW，單模塊體積與大模塊IGBT相比減小1/2、重量?jī)H有15kg，取得了高頻整流電源小型模塊化的一大突破。
• 2018年的“60A/500V”小模塊高頻整流電源，通過對(duì)器件的篩選和線路板優(yōu)化，在原尺寸不變的情況下，使其功率提升到30KW,重量減輕到12kg,增加了其帶載能力，擴(kuò)大了適用范圍。
• 2020年的“130A/500V”小模塊高頻整流電源，通過改變內(nèi)部結(jié)構(gòu)和優(yōu)化控制程序，使其開關(guān)頻率上升到100KHZ，最高功率達(dá)到40KW，同功率狀態(tài)下，體積更小，重量更輕、頻率特性更好。

?高頻整流電源發(fā)展歷程：

• 公司自2006年開始對(duì)IGBT電力電子器件直流電源進(jìn)行立項(xiàng)研發(fā)。
• 2008年的500A/500V大功率IGBT直流斬波器，使公司對(duì)IGBT的功率特性，控制方式得到了深入的了解，斬波頻率達(dá)到了15KHZ，DC-DC轉(zhuǎn)換可以從0V到額定可調(diào)。
• 2008年的20A/500V小功率IGBT整流電源，實(shí)現(xiàn)了公司對(duì)IGBT器件由AC向DC的成功變換，功率達(dá)到了10KW,開關(guān)頻率達(dá)到15KHZ,為萊特在IGBT研發(fā)立項(xiàng)上樹立了強(qiáng)大的信心。
• 2011年的500A/500V大功率整流電源，通過對(duì)IGBT連接方式的改變，和器件的優(yōu)化，將開關(guān)頻率提升到20KHZ,功率擴(kuò)展到25KW，產(chǎn)品正式推廣到電泳涂裝生產(chǎn)線中。
• 隨著電泳工藝的改革，2013年的“模塊化分布式”IGBT整流電源，將IGBT單機(jī)容量減小到100A/500V，提高開關(guān)頻率到50KHZ，多臺(tái)模塊同時(shí)對(duì)工件進(jìn)行電泳，使電泳漆膜更加均勻，減少了電泳漆的消耗。
• 2016年的“帶APFC模塊化”IGBT整流電源，將APFC應(yīng)用到IGBT模塊中，提高設(shè)備的功率因數(shù)達(dá)到0.99，減小了設(shè)備的諧波分量，并進(jìn)一步提升了設(shè)備的抗干擾能力。
• ?2018年的“PCB集成型”IGBT整流電源，采用了不同封裝方式的IGBT器件，焊接到線路板上，使其體積減小3/4，重量減小到原來的1/3，實(shí)現(xiàn)了全電子線路集成。